特許

J-GLOBAL ID：200903005793248587

ZnOバリスタの製造方法

発明者： 金沢 賢昌
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-206012
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044333
出願日： 1998年07月22日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】 成形体と電極との一体焼結が可能な、電圧非直線性の優れたZnOバリスタ素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 主成分のZnOに、副成分として少なくとも、Bi,Co,Sb,Al,Tiの酸化物を含む組成に、更にTeをTeO2に換算しZnOに対し0.1〜2.0mol%添加した組成の成形体に電極ペーストを塗布した後、成形体と電極2とを一体焼結する。

請求項（抜粋）：

ZnOを主成分とし、副成分として少なくともBi,Co,Sb,Al,Tiを含む組成に、さらにTeをTeO2に換算しZnOに対して0.1〜2.0mol%添加した材料組成粉末を所定形状に成形し、その両主平面に電極ペーストを塗布した後、800〜960°Cの温度で成形体と電極とを一体焼結することを特徴としたZnOバリスタの製造方法。

IPC (2件)：

C04B 35/453 ,  H01C 7/10

FI (2件)：

C04B 35/00 Q ,  H01C 7/10

Fターム (17件)：

4G030AA16 ,  4G030AA25 ,  4G030AA28 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA42 ,  4G030AA43 ,  4G030BA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA12 ,  4G030GA27 ,  5E034CB01 ,  5E034CC03 ,  5E034DA03 ,  5E034DE02 ,  5E034DE08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• バリスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-015171   出願人：松下電器産業株式会社
• 酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-137794   出願人：松下電器産業株式会社