特許

J-GLOBAL ID：200903005794424885

光半導体装置,及びその製造方法

発明者： 廣中 美佐夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163559
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 モニタフォトダイオード部の形成に用いるレジストパターンの加工精度を向上させることが可能な、ミラー部を備えた光半導体装置、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 エピタキシャル成長層30の主面上の所定の領域にモニタPD部4を形成した後、ミラー部2を有するくぼみ部40を形成するようにした。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層を用意する工程と、該半導体層の所定の領域に第2導電型不純物を導入して、第2導電型半導体領域からなるモニタフォトダイオード部を形成する工程と、上記第1導電型半導体層のモニタフォトダイオード部の一部を含めた領域に、該モニタフォトダイオード部に接する側面と対向する側面が上記第1導電型半導体層の主面に対して所定の角度をなすように傾斜しているとともに、その底面が上記第1導電型半導体層の主面に対して平行であるくぼみ部を形成する工程と、レーザダイオードを用意し、該レーザダイオードを上記くぼみ部の底面に載置する工程とを備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。