特許
J-GLOBAL ID:200903005796539310

太陽電池および太陽電池モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 福森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-220943
公開番号(公開出願番号):特開平9-064397
出願日: 1995年08月29日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【課題】 高湿度下での部分的な光遮断による太陽電池モジュールの短絡の発生を抑制し、信頼性の高い太陽電池及び太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】 本発明の太陽電池は、n型半導体をn、i型半導体をi、及びp型半導体をpとした場合、導電性基板上にシリコン系非単結晶半導体からなるnipまたはpin接合を複数積層したタンデム型太陽電池素子と、前記太陽電池素子とは電気的に逆方向となるように、前記太陽電池素子と並列接続されたバイパスダイオードからなる太陽電池において、前記バイパスダイオードが、前記導電性基板上に堆積形成されたシリコン系非単結晶半導体からなるinまたはip接合のダイオード素子であることを特徴とする。また、本発明の太陽電池モジュールは、上記太陽電池を複数個直列接続したことを特微とする。
請求項(抜粋):
n型半導体をn、i型半導体をi、及びp型半導体をpとした場合、導電性基板上にシリコン系非単結晶半導体からなるnipまたはpin接合を複数積層したタンデム型太陽電池素子と、前記太陽電池素子とは電気的に逆方向となるように、前記太陽電池素子と並列接続されたバイパスダイオードからなる太陽電池において、前記バイパスダイオードが、前記導電性基板上に堆積形成されたシリコン系非単結晶半導体からなるinまたはip接合のダイオード素子であることを特徴とする太陽電池。
IPC (3件):
H01L 31/042 ,  H01L 29/861 ,  H01L 31/04
FI (3件):
H01L 31/04 R ,  H01L 29/91 E ,  H01L 31/04 W

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