特許
J-GLOBAL ID：200903005798845923
相補型半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212728
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036917
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】工程が簡単であり、しかも素子分離領域におけるパンチスルーに対する余裕を大きくすることができるにも拘らず、ゲートスイング等を小さくする。【構成】Pウェル33を形成するための不純物21とNチャネルストッパ34を形成するための不純物22とをNチャネル領域16に対して順次にイオン注入し、次に、Nウェル31を形成するための不純物24とPチャネルストッパ32を形成するための不純物25とをPチャネル領域14に対して順次にイオン注入し、これらの不純物21、22、24、25を熱処理で拡散させた後、閾値電圧を調整するためのボロン35をイオン注入する。このため、ボロン35の拡散が抑制される。
請求項（抜粋）：
第1導電型領域と第2導電型領域とを有する相補型半導体装置の製造方法において、前記第1導電型領域を形成すべき領域に、この第1導電型領域を形成するための不純物とこの第1導電型領域におけるチャネルストッパを形成するための不純物とを導入する工程と、前記第2導電型領域を形成すべき領域に、この第2導電型領域を形成するための不純物とこの第2導電型領域におけるチャネルストッパを形成するための不純物とを導入する工程と、導入した前記不純物を拡散させるための熱処理を行う工程と、前記熱処理の後に、前記第1及び第2導電型領域の全面に、閾値電圧を調整するための不純物を導入する工程とを具備する相補型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/092
, H01L 21/265
H01L 27/08 321 C
, H01L 21/265 W
, H01L 27/08 321 D
