特許

J-GLOBAL ID：200903005802453350

半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  宮永 昭治 ,  小山 潤 ,  福永 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336339
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289166
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【目的】 単結晶に匹敵する結晶性を有する半導体薄膜およびそれを用いて形成した活性層を有する半導体装置を得る。【構成】 非晶質珪素膜104の下面に接する酸化珪素膜102に意図的に凹または凸パターン103を設け、結晶化を助長する金属元素が偏析し易いサイトを形成する。すると凹または凸パターン103を配置した位置に結晶核を選択的に形成する事が可能となり、結晶粒径を制御することができる。また、こうして得られた結晶性珪素膜109に対してレーザー光またはそれと同等のエネルギーを持つ強光を照射して、実質的に結晶粒界が存在しないモノドメイン領域を形成する。

請求項（抜粋）：

表面に絶縁膜を有する基体上に形成された半導体薄膜であって、前記半導体薄膜はレーザー光または該レーザー光と同等のエネルギーを持つ強光の照射により結晶性を改善された実質的に単結晶と見なせるモノドメイン領域を有し、前記モノドメイン領域は前記基体と概略平行な柱状または針状結晶が複数集合して形成されており、前記半導体薄膜の下面に接する前記絶縁膜には意図的に形成された凹または凸パターンが設けられていることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G