特許
J-GLOBAL ID：200903005803199857

半導体装置の製造方法

発明者：
犬飼 和明

犬飼 和明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-024036
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217292
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 多孔質絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、多孔質絶縁膜の中に形成するトレンチやコンタクトホールの側壁にボイド(空洞)が発生しないようにする。【解決手段】 多孔質低誘電率膜3aを含む層間絶縁膜5をエッチングしてコンタクトホール7aを形成するとき、フッ素系ガスを用いるため、フッ素Aがコンタクトホール7aの側壁3b付近の多孔質低誘電率膜3aの膜中に残留する。フッ素が残留すると、その後の洗浄工程の水洗などによりフッ素が水に溶解してフッ酸となり、多孔質低誘電率膜3aをエッチングし、その後の工程でボイドが発生してしまう。そこで、残留フッ素Aを除去するため、コンタクトホール7aを形成後、半導体基板1の上から水素ラジカルBを照射する。すると、フッ素Aが気体のフッ酸Cに置換され、多孔質低誘電率膜3aをエッチングすることなくフッ素Aを除去することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に多孔質絶縁膜を形成する工程と、 前記多孔質絶縁膜の上にレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンを介して、前記多孔質絶縁膜をフッ素を含むガスを用いて選択的にエッチングし、前記多孔質絶縁膜の中にトレンチ又はコンタクトホールを形成するエッチング工程とを備え、 前記エッチング工程の後に、前記基板上に水素ラジカルを照射する、水素ラジカル処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/768 ,  H01L23/14
FI (2件)：
H01L21/90 C ,  H01L23/14 R
Fターム (30件)：
5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ95 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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