特許

J-GLOBAL ID：200903005806430193

半導体装置の製造方法

発明者： 高木 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社エフティーエル
代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163768
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017739
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 大口径半導体ウェーハを急速熱処理する際に面内温度分布均一性を高める。【構成】 ウェーハ8を、予め熱処理温度に加熱された蓄熱板10と接触させるかあるいはその極近傍に配置する。

請求項（抜粋）：

ホットウォール型加熱炉内に配置された1枚又は複数枚のウェーハを熱処理する半導体装置の製造方法において、蓄熱板を予め熱処理温度に加熱し、次にウェーハの片面を、実質的に全面で、前記蓄熱板に接触させもしくは前記蓄熱板の極近傍に配置して、前記熱処理温度にて熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (6件)：

H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/22 501 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/324 M