特許
J-GLOBAL ID：200903005809221838
基板型温度ヒュ-ズ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松月 美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216434
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030583
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】基板型温度ヒュ-ズにおいて膜電極と低融点可溶合金片との溶接強度を増強し、作動特性の向上を図る。【解決手段】絶縁基板11上に膜電極12を形成し、膜電極12,12の先端部間に低融点可溶合金片13を溶接せる基板型温度ヒュ-ズにおいて、膜電極12の先端部にスリット121を設け、該先端部と低融点可溶合金片との溶接をスリット121の一部(f,e)を露出させて行った。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に膜電極を形成し、膜電極の先端部間に低融点可溶合金片を溶接せる基板型温度ヒュ-ズにおいて、膜電極の先端部にスリットを設け、該先端部と低融点可溶合金片との溶接をスリットの一部を露出させて行ったことを特徴とする基板型温度ヒュ-ズ。
Fターム (6件)：
5G502AA02
, 5G502BA08
, 5G502BB10
, 5G502BC07
, 5G502BD08
, 5G502EE01
