特許
J-GLOBAL ID：200903005811673070
マイクロエレクトロニクス構造とその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007170
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007137
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 誘電率の高い材料に対し信頼性の高い電気接続部を構成する。【構成】 この発明の好ましい実施例は酸化可能な層(例えばタンタル48)、酸化可能な層に重なる酸素ゲッタ層(例えば白金/タンタル混合物34)、酸素ゲッタ層に重なる貴金属層(例えば白金36)、及び貴金属層に重なる誘電率の高い材料の層(例えばチタン酸バリウム・ストロンチウム38)で構成される。酸素ゲッタ層が酸素の拡散を制御し、下側電極内又は下側電極/基板の界面の何れかに抵抗層が形成されることを最小限に抑える。酸素ゲッタ層が酸素に対するゲッタ作用をする場所として作用し、酸素がその層の反応性金属部分を酸化し、その層の貴金属部分を無傷に残す。形成される酸化物/下級酸化物(例えば5酸化タンタル40)は抵抗性であるが、それらは貴金属マトリクス内に分散し、層の上から下まで導電通路を残す。
請求項（抜粋）：
マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法に於て、酸化可能な層を形成し、該酸化可能な層の上に酸素ゲッタ層を形成し、該酸素ゲッタ層の上に貴金属層を形成し、該貴金属層の上に誘電率の高い材料の層を形成する工程を含み、こうして酸素ゲッタ層が拡散する酸素に対してゲッタ作用をして、前記酸化可能な層内又はその上の何れかに於ける酸化抵抗層の形成を最小限に抑える方法。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 M
