特許

J-GLOBAL ID：200903005812914623

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 森田 幸弘 ,  寺内 正治 ,  井土 眞澄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299652
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119036
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 透明基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、透明基板と多結晶シリコン膜との間に、固定電荷が少なく緻密なSiNxを形成し、薄膜トランジスタのトランジスタ特性を変化させることなく、信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】 アンダーコートSiO2膜20に窒素を注入した後、アンダーコートSiO2膜もしくは半導体膜を選択的に加熱することによって、注入した窒素30を結晶化し、固定電荷の少ないSiNxを形成する。これによってトランジスタ特性を変化させることなく、信頼性の向上した多結晶薄膜トランジスタを得ることができる。

請求項（抜粋）：

透明基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法において、アンダーコートSiO2膜を形成する工程と、前記アンダーコートSiO2膜に窒素を注入する工程を含み、窒素注入後に前記アンダーコートSiO2膜が吸収する波長領域に適合する光源によりランプアニールすることを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/318 A ,  H01L 29/78 626 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (46件)：

2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB21 ,  2H092MA03 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA22 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC08 ,  5F058BF76 ,  5F058BF78 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35