特許
J-GLOBAL ID：200903005815030351
シリコン半導体ウエハ外周部の仕上げ加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029992
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233463
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウエハ外周部の微粒子の剥離防止を極めて短時間に効率的に行う方法を提供する。【解決手段】 ウエハWの外周部Wpを平面研削装置でそのウエハを平面研削加工する時に、その装置内で平面研削加工が終了したウエハを取り出す前にウエハを回転させ、所要の研磨剤2aで外周部の面取り加工部を研磨することにより、平面研削加工と同時進行しながら該面取り加工部が(準)鏡面となる。
請求項（抜粋）：
ウエハ(W)の厚さ方向に材質的に相違するシリコン半導体ウエハの外周部(Wp)の面取り研削加工した後にその面取り部を仕上加工する方法において、前記ウエハ(W)の外周部(Wp)を平面研削装置でそのウエハ(W)を平面研削加工する時に、その装置内で研削加工が終了したウエハを取り出す前にウエハ(W)を回転させ、所要の研磨剤(2a)で外周部(Wp)の面取り加工部を研磨して微粒子を除去することを特徴とするシリコン半導体ウエハ外周部の仕上げ加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 621
, B24B 1/00
H01L 21/304 621 E
, B24B 1/00 A
