特許
J-GLOBAL ID：200903005816967080
薄膜形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223845
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058036
出願日： 1993年08月16日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハ等薄膜を形成する基材に均一の厚さの薄膜を高速で形成することができる薄膜形成装置を提供すること。【構成】 外界と雰囲気を異にする反応室1と、該反応室1に配置され薄膜を形成するウエハ3等の基材を載架して回転する回転サセプタ4を具備する薄膜形成装置において、回転サセプタ4を浮上させるための上部下部ラジアル磁気軸受11,12及びスラスト磁気軸受16等を有する浮上機構と、該回転サセプタ4を高速で回転するための誘導電動機10等からなる駆動機構を具備する。
請求項（抜粋）：
外界と雰囲気を異にする反応室と、該反応室に配置され薄膜を形成する基材を載架して回転するサセプタを具備する薄膜形成装置において、前記サセプタを浮上させるための磁気軸受を有する浮上機構と、該サセプタを高速で回転するための駆動機構を具備することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/68
