特許

J-GLOBAL ID：200903005819852097

半導体のドーピング方法及び装置

発明者： 中川 克己 ,  高林 明治 ,  竹内 栄治
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186491
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024977
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】【構成】 チャンバー101の中には、アノード103及びカソード104の1対の電極が設けられている。アノード103には試料105がセットされている。試料105はヒーター106によって加熱することができる。カソード104はアノード103、カソード104間にプラズマ107を生起するための電源108に接続されている。カソード104の上にはターゲット109がセットされている。チャンバー101は、ボンベ110から不活性ガスが導入され、ボンベ111から水素やハロゲンガスまたはこれらの混合ガスが導入される。【効果】 特性の優れたp型またはn型の半導体を得ることができ、大面積にわたって均一な特性が得られ、大型の半導体デバイスを低コストで製造できる。

請求項（抜粋）：

ドーパント元素を含有するターゲットを用いて、スパッタリング法により半導体の表面にドーパントを堆積させつつ、少なくとも活性化された水素及び/またはハロゲンを前記半導体の表面に作用させて、前記半導体にドーピングを行う半導体のドーピング方法。

IPC (5件)：

C30B 25/06 ,  C30B 31/06 ,  H01L 21/22 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 31/04 B