特許

J-GLOBAL ID：200903005822978964

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 折坂 伸治 ,  野田 実
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109210
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283542
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路の多層配線構造の作製において、低誘電率の層間絶縁膜を実現することにより配線容量の低減を図り回路動作速度の高速化を行う。【構成】 従来の絶縁膜材料の内部にサブミクロンオーダーの空孔、あるいは気泡を形成して、実効的な誘電率を低下させる。これにより多層配線間に発生する静電容量を低減させる。

請求項（抜粋）：

基板と配線層との間もしくは下層配線層と上層配線層との間に配置される層間絶縁膜を有する半導体集積回路装置において、上記層間絶縁膜が、その内部全体に分散して配置された気泡又は空孔を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。