特許
J-GLOBAL ID:200903005823055231
高透明性非金属カソード
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
浅村 皓 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-516507
公開番号(公開出願番号):特表2001-520450
出願日: 1998年10月08日
公開日(公表日): 2001年10月30日
要約:
【要約】広範囲の電気的に活性な透明有機デバイスに有用な新規な種類の低反射性高透明性非金属カソードが開示されている。代表的な態様として、OLEDの高度に透明な非金属カソードは、低電力無線周波スパッターしたインジウム錫酸化物(ITO)の膜で覆った銅フタロシアニン(CuPc)の薄膜を用いている。CuPcは、ITOスパッタリング工程中、下の有機層の損傷を防ぐ。非金属カソードの低反射性により、前方及び後方の散乱方向に殆ど同じ量の光を発する、可視域で85%の透過率を有する非反射防止被覆された非金属カソードを有するTOLEDを開示する。非金属カソードを有するTOLEDの性能は、ITOで覆ったMg:Agの半透明薄膜からなる一層反射性で吸収性のカソードを用いたTOLEDの性能に匹敵することが見出されている。本発明は、更に少なくとも一つの電子輸送部分及び少なくとも一つのホール輸送部分を有する分子を有する化合物を含む電荷キャリヤー層を有するOLEDに用いられている新規なOLED、アズラクトン関連ドーパントを含む発光層を有するOLED、燐光ドーパント化合物を含む発光層を有するOLED、対称性分子構造を有する化合物からなるガラス状有機ホール輸送材料を含むホール輸送層を有するOLEDに関する。
請求項(抜粋):
半導体有機層と低抵抗電気接触した電気伝導性非金属層からなるカソード。
IPC (11件):
H05B 33/28
, C09K 11/06 620
, C09K 11/06 640
, C09K 11/06 645
, C09K 11/06 655
, C09K 11/06 660
, H01L 33/00
, H01S 3/16
, H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (12件):
H05B 33/28
, C09K 11/06 620
, C09K 11/06 640
, C09K 11/06 645
, C09K 11/06 655
, C09K 11/06 660
, H01L 33/00 E
, H01S 3/16
, H05B 33/10
, H05B 33/14 B
, H05B 33/22 D
, H05B 33/22 B
引用特許:
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