特許

J-GLOBAL ID：200903005829356519

スパッタリングカソード

発明者： 板垣 克則 ,  内山 智雄 ,  小林 司
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012984
公開番号（公開出願番号）：特開平8-199354
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月06日
要約：

【要約】【目的】 ターゲットにイオンが不均一に衝撃を与える問題を解決し、比較的に大型の矩形基板に均一性のよい膜厚分布をもつ薄膜を形成できるスパッタリングカソードを提供することを目的とする。【構成】 ターゲット2とその裏面に少なくとも1台の平面矩形状の磁石ユニット100を備えたスパッタリングカソード1において、磁石ユニット100の長辺方向両端にターゲット表面と磁石ユニット100との間の距離を変化させるための機構が設けてある。

請求項（抜粋）：

ターゲットとその裏面に少なくとも1台の平面矩形状の磁石ユニットを備えたスパッタリングカソードにおいて、磁石ユニットの長辺方向両端にターゲット表面と磁石ユニットとの間の距離を変化させるための機構を設けたことを特徴とするスパッタリングカソード。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-243762
  
• 特開平3-243762
  
• 特開平2-243762
  
• 特開平3-243762