特許
J-GLOBAL ID:200903005830468371

磁気センサー装置、その製造方法およびそれに用いる磁性体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-008274
公開番号(公開出願番号):特開平7-221362
出願日: 1994年01月28日
公開日(公表日): 1995年08月18日
要約:
【要約】【目的】 感度が高く、かつ、ばらつきの少ない磁気センサー装置を提供する。【構成】 Si基板10と、その上に形成した磁気の感受部分であるInSb層11と、その上に形成した保護膜13とポリイミド系有機絶縁膜14と、有機溶剤で選択的にポリイミド系有機絶縁膜14を除去し、その除去部に絶縁ペースト16を介してダイスボンドしたフェライト15とを備え、InSb層11に対向するフェライト15の下部を上部より細くすることにより、上部からの流れの磁束は下部で集束し、少なくとも磁気の感受部分で、上部面積/下部面積に応じて有効磁束密度が高まるため、大きく感度を向上させることができる。少なくともその下部を球状にすることで、さらに大きく感度は向上する。
請求項(抜粋):
磁気の感受部分上に前記感受部分と絶縁して磁性体を備え、前記感受部分に対向する前記磁性体の下部を上部より細くしたことを特徴とする磁気センサー装置。
IPC (6件):
H01L 43/06 ,  G01R 33/02 ,  G01R 33/07 ,  H01F 1/34 ,  H01F 41/00 ,  H01L 43/14
FI (2件):
G01R 33/06 H ,  H01F 1/34 Z
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開昭63-301577
  • 特開昭63-177579
  • 特開昭49-135587
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