特許

J-GLOBAL ID：200903005835681227

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 大倉 央 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085964
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282164
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 低コストで製造でき、変換効率の高い光電変換装置、特に、太陽電池に好適な製法を提供する。時に、グレッツエル型太陽電池において半導体微粒子層の伝導効率及び再結合損失を改善する。【解決手段】 一対の基板間に、n型の電荷輸送層、光吸収層16、p型の電荷輸送層12を有する光電変換装置において、n型の電荷輸送層は、少なくとも幹部41と幹部から派生した複数の枝部42から成る酸化亜鉛櫛状結晶で構成する。枝部の径は、200nm以下であることが好ましい。また、n型の電荷輸送層は、亜鉛若しくは酸化亜鉛若しくは亜鉛と酸化亜鉛の混合物を加熱する事により気化させて酸化亜鉛櫛状結晶を成長させることで形成する。

請求項（抜粋）：

一対の基板間に、n型の電荷輸送層、光吸収層、p型の電荷輸送層を有する光電変換装置において、前記n型の電荷輸送層は、少なくとも幹部と前記幹部と接続する複数の枝部から成る酸化亜鉛櫛状結晶を含むことを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (15件)：

5F051AA14 ,  5F051AA20 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032EE02 ,  5H032HH04