特許

J-GLOBAL ID：200903005838965250

被覆パターン形成用マスク

発明者： 中村 清 ,  青木 清 ,  林 但
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227603
公開番号（公開出願番号）：特開平7-166318
出願日： 1987年09月30日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：

【要約】【構成】 窒化けい素セラミックスの焼結体で形成され、被覆層のパターンに応じた形状寸法を有し、表面粗さがRmaxで0.2S以下である被覆パターン形成用マスクである。【効果】 溶融した金属の溶着を防止して、長期にわたり精度良く被覆層を形成することができ、かつ高い耐久性を有する被覆パターン形成用マスクが得られる。

請求項（抜粋）：

窒化けい素セラミックスの焼結体で形成され、被覆層のパターンに応じた形状寸法を有し、かつ表面粗さがRmaxで0.2S以下であることを特徴とする被覆パターン形成用マスク。

IPC (3件)：

C23C 4/02 ,  C04B 41/80 ,  C23C 4/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-002662
  
• 特開昭61-295366
  
• 特開昭62-182163
  
• 特開昭58-151371