特許

J-GLOBAL ID：200903005839572805

放熱構造を備えた半導体装置

発明者： 佐々木 順彦 ,  熊谷 雅
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-341417
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179257
出願日： 2002年11月25日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】本発明は、発熱素子からの熱を熱伝導層を介して効率よく放熱することができる半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、パワートランジスタ等の発熱素子7が搭載され、回路配線6が形成される基板1を備えた半導体装置であって、基板1の少なくとも一部にダイヤモンドライクカーボン製の熱伝導層2が形成され、基板1の少なくとも一面側に熱伝導層2に直接あるいは熱伝達部材8を介して発熱素子7が設けられ、発熱素子7が設けられた基板1の素子取付側と反対側に熱伝導層2に接続するとともに基板外面の一部に開口する放熱孔1aが形成されたことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

パワートランジスタ等の発熱素子が搭載され、回路配線が形成される基板を備えた半導体装置であって、前記基板の内部にダイヤモンドライクカーボンからなる熱伝導層が形成され、前記基板の少なくとも一面側に前記熱伝導層に直接あるいは熱伝達部材を介して前記発熱素子が設けられるとともに、前記発熱素子が設けられた前記基板の前記素子取付面側と反対面側に、前記基板外面の一部に開口し、前記熱伝導層に達する放熱孔が形成されたことを特徴とする放熱構造を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/373

FI (6件)：

H01L23/36 C ,  H01L23/12 301 ,  H01L23/36 M ,  H01L23/12 J ,  H01L23/12 E ,  H01L23/12 N

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BD16