特許

J-GLOBAL ID：200903005840491827

半導体装置の製造方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-097631
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307293
出願日： 1994年05月11日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 有機シラン系ガスによるCVD法により、残留水酸基や有機成分が低減され、セルフフロー特性に優れたSiOF系低誘電率層間絶縁膜有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ヘリコン波プラズマCVD装置等高密度プラズマを発生しうるプラズマCVD装置を用い、第1のガスシャワーリング9からはO系ガスとF系ガスを、第2のガスシャワーリング10からTEOSとH2 Oを供給する。【効果】 酸化・脱水反応の促進および中間重合体構造の制御により、膜質の優れた低誘電率平坦化層間絶縁膜の形成が可能となる。塩基性ガスをさらに添加すれば、その触媒作用によりこの効果は一層徹底される。これらの効果により、配線容量が低減された信頼性の高い半導体装置の製造が可能となる。

請求項（抜粋）：

有機シラン系ガス、水蒸気、O系ガスおよびF系ガスを主体とする原料ガスを用い、1×1011/cm3 以上1×1014/cm3 未満のプラズマ密度を発生しうるプラズマ発生源を有するプラズマCVD装置を用いたプラズマCVD法により、被処理基板上に酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316