特許

J-GLOBAL ID：200903005841090575

プラズマプロセス装置、バッフル板及びプラズマプロセス

発明者： 高木 茂行 ,  斉藤 誠
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-362785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188281
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 長時間作動させてもスリットが生成物で埋まり難いバッフル板及びプラズマプロセス装置、プラズマプロセスを提供すること。【解決手段】 チャンバ23と、チャンバ23内に搬入される基板26を保持するための加工ステージ25と、媒質ガスに電力を供給して活性種を励起するためのRF電源30と、チャンバ23内部の媒質ガス導入側と媒質ガス排気側とを隔てて活性種の流通を制限するバッフル板32と、を具備するプラズマプロセス装置20において、バッフル板32にはスリット33が形成されており、このスリット33は媒質ガス排気側が媒質ガス排気側と比較して幅広に形成されていると共に、一方のスリット壁面34aは前記バッフル板32の表面および裏面に略垂直となるように設けられ、他方のスリット壁面34bは表面および裏面に対して所定角度傾斜したテーパ壁面35に形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

内部に処理ガスが供給されるチャンバと、このチャンバ内に搬入される基板を保持するための保持手段と、前記処理ガスを励起してプラズマ化する励起手段と、前記チャンバ内部を処理空間と排気空間とに隔てるバッフル板とを有し、該バッフル板に形成された貫通する開口部の、前記処理空間側の面における開口面積が前記排気空間側の面における開口面積より大なることを特徴とするプラズマプロセス装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205

Fターム (22件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DB00 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF13 ,  5F045EF14 ,  5F045EH13