特許

J-GLOBAL ID：200903005841497896

化合物半導体単結晶およびその成長方法

発明者： 橋尾 克司 ,  川瀬 智博
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-212867
公開番号（公開出願番号）：特開平5-339100
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1993年12月21日
要約：

【要約】【目的】 スライス、研磨等の結晶加工時あるいはその後のエピタキシャル成長やデバイスプロセスの過程で割れにくい化合物半導体単結晶を提供することを目的とする。また、エピタキシャル成長およびデバイスプロセスの過程で、化合物半導体単結晶基板上に形成される薄膜結晶層においてスリップの発生を生じない化合物半導体単結晶を提供することを目的とする。【構成】 結晶中の残留歪の平均値を1×10-5以下とし、かつ残留歪の最大値を2×10-5以下とした化合物半導体単結晶から構成される。化合物半導体単結晶の成長方法としては、成長中および成長後の冷却中の結晶内の温度勾配を所定の値に維持し、結晶の冷却速度および結晶中の回転速度を所定の値に維持する。

請求項（抜粋）：

結晶中の残留歪の平均値が1×10-5以下であることを特徴とする化合物半導体単結晶。

IPC (4件)：

C30B 29/40 ,  C30B 29/40 501 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208