特許

J-GLOBAL ID：200903005843374031

光変調磁性半導体およびその作製方法

発明者： 宗片 比呂夫 ,  羽根田 茂
出願人/特許権者： 財団法人 理工学振興会
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282835
公開番号（公開出願番号）：特開2001-108951
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 光照射により磁性体微粒子間の相互作用が変化して磁性が変調し、高速応答の光記録媒体や光変調器に応用できる光変調磁性半導体を提供する。【解決手段】 光照射によりキャリアを生成する半導体結晶の中に、磁性体微粒子を分散せしめた磁性半導体であって、光照射により該磁性体微粒子間の相互作用が変化して磁性が変調する。半導体結晶は、 III-V族系、II-VI族系、IV族系、非晶質系で、好ましくはGaAsである。磁性体微粒子は、結晶性または非晶質性で、遷移金属元素(Fe)及び/または希土類元素を含むものであり、該微粒子の表面には、該微粒子とは異なる反強磁性またはフェリ磁性の化合物(Fe-As) が形成されている。真空蒸着により、半導体結晶の表面に、数原子〜数十原子層の高さの磁性体を3次元島状に堆積し、続いて、該3次元島状の磁性体を包み込むように半導体結晶を堆積して、新たな表面を形成することを繰り返して作製する。

請求項（抜粋）：

半導体結晶の中に、磁性体微粒子が分散していて、光照射により磁性が変調することを特徴とする光変調磁性半導体。

IPC (7件)：

G02F 1/09 501 ,  G02F 1/015 501 ,  G11B 11/105 506 ,  G11B 11/105 511 ,  G11B 11/105 546 ,  H01F 1/40 ,  H01F 41/20

FI (7件)：

G02F 1/09 501 ,  G02F 1/015 501 ,  G11B 11/105 506 Z ,  G11B 11/105 511 G ,  G11B 11/105 546 B ,  H01F 41/20 ,  H01F 1/00 A

Fターム (29件)：

2H079AA05 ,  2H079AA08 ,  2H079CA23 ,  2H079DA14 ,  2H079DA16 ,  5D075FF20 ,  5D075GG02 ,  5D075GG16 ,  5E040AA03 ,  5E040AA06 ,  5E040AA11 ,  5E040AA14 ,  5E040AA19 ,  5E040AA20 ,  5E040BB01 ,  5E040BC01 ,  5E040BD03 ,  5E040CA06 ,  5E040CA11 ,  5E040CA16 ,  5E040HB14 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC01 ,  5E049BA23 ,  5E049HC01