特許
J-GLOBAL ID：200903005843520356
カーボン・ナノチューブ作成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重信 和男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379334
公開番号（公開出願番号）：特開2002-179418
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：
【要約】【課題】 突起を有する基板に対して、突起上にカーボン・ナノチューブを成長させる方法を提供する。【解決手段】 シリコンや石英の基板上に突起を形成し、その基板に触媒金属としてニッケル、鉄、コバルト等の鉄族元素やその化合物の薄膜を堆積する。そして熱フィラメント化学気相堆積法やマイクロ波プラズマ気相堆積法を用い、基板を負電圧として、カーボン・ナノチューブを成長させる。また、前述の気相堆積法は、基板を加熱しながら行う。これらの方法により、比較的簡便にシリコンの突起上に選択的にカーボン・ナノチューブを成長させることができる。また、基板の代わりに、市販のシリコン製SPMプローブの先端にカーボン・ナノチューブを選択的に成長させることができる。カーボン・ナノチューブのプローブを用いれば、試料の形状を高分解能で正確に観察することができる。
請求項（抜粋）：
カーボン・ナノチューブ作成方法であって、突起を有する基板に対して、触媒金属の薄膜を生成し、気相堆積法を用いて、前記基板を乗せたステージを負電圧とするとともに、基板を加熱しながら、前記突起上にカーボン・ナノチューブを成長させることを特徴とするカーボン・ナノチューブ作成方法。
IPC (7件)：
C01B 31/02 101
, B82B 3/00
, C23C 16/26
, C23C 16/44
, G01N 13/16
, H01J 1/304
, H01J 9/02
C01B 31/02 101 F
, B82B 3/00
, C23C 16/26
, C23C 16/44 A
, G01N 13/16 C
, H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
4G046CA01
, 4G046CB01
, 4G046CC06
, 4G046CC09
, 4K030AA05
, 4K030AA09
, 4K030BA27
, 4K030BB01
, 4K030CA06
, 4K030CA11
, 4K030DA02
, 4K030KA22
