透明導電体材料

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150479
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343716
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】結晶性を改善して得られる導電性と透明性に優れた高品位の透明導電体材料を提供する。【構成】酸化錫を5wt%含有する酸化インジウムの焼結体ターゲットを1%の酸素を含有するアルゴンガスでスパッタする反応性スパッタリング法で、ガラス基板1に対して(100)方向に結晶配向したITO薄膜2を形成する。こうして、酸化インジウムの稠密面(100)を基板面と平行にした理想的な結晶配向に成るように結晶性を改善して得られたITOは、電気的特性および光学的特性に優れた高品位の透明導電体材料である。

請求項（抜粋）：