特許

J-GLOBAL ID：200903005849704190

高耐圧横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

発明者： 澄田 仁志
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305535
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148574
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】SOI基板の半導体層に形成された横型IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の耐圧低下を防止する。【解決手段】pベース領域4の凹部に対向するn+ バッファ領域7内のpコレクタ領域8の凸部先端に、n+ ショート領域18を設ける。n+ バッファ領域7がpベース領域4に囲まれたパターンにおいては、コレクタ電極12の引き出し配線23を絶縁膜を介してエミッタ電極11上に配置する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に酸化膜を介して形成された第一導電型半導体層の表面層に選択的に形成された第二導電型ベース領域と、その第二導電型ベース領域の表面層に選択的に形成された第一導電型エミッタ領域および第二導電型コンタクト領域と、その第一導電型エミッタ領域と第一導電型半導体層の表面露出部とに挟まれた第二導電型ベース領域の表面上にゲート酸化膜を介して設けられたゲート電極と、第一導電型エミッタ領域と第二導電型コンタクト領域との表面に共通に接触するエミッタ電極と、第二導電型ベース領域から離れた第一導電型半導体層の表面層に選択的に形成された第一導電型バッファ領域と、その第一導電型バッファ領域の表面層に形成された第二導電型コレクタ領域と、その第二導電型コレクタ領域の表面に接触するコレクタ電極とを有する横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、第二導電型ベース領域の凹部に対向している第二導電型コレクタ領域の凸部先端に第一導電型ショート領域を形成することを特徴とする高耐圧横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 29/78 655 D ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 655 Z