特許

J-GLOBAL ID：200903005856457300

半導体装置

発明者： 谷口 信剛 ,  大塚 康宏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005214
公開番号（公開出願番号）：特開2001-197723
出願日： 2000年01月05日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 IGBT素子における主電流に対するセンス電流の分流率や電流検出抵抗の抵抗値のばらつきに起因した過電流判定値のばらつきを補正して正しい過電流判定を実現する。【解決手段】 調整抵抗R2を調整することにより、過電流判定基準電源6の基準電圧Vrefの値を、半導体素子Q1のセンス電流Isの分流率や電流検出抵抗R1の値に基づき個々の製品毎に定まる、主電流Icが過電流状態に達したときの節点電圧V1の値に設定する。これにより、主電流Icが過電流状態に達した時点で、過電流保護回路1は正しく過電流状態の発生を検出することができる。

請求項（抜粋）：

主電流に対して所定の分流率で与えられるセンス電流をそのセンス端子より出力可能なセル分離構造を有する半導体素子と、判定の基準となる基準電圧を出力する判定基準電源と、前記センス端子と接地電位との間に直列接続されたn個(nは1以上の正の整数)の電流検出抵抗と、前記センス電流が前記n個の電流検出抵抗を流れるときに生じる、隣り合う電流検出抵抗同士間及び前記センス端子と前記センス端子に繋がった電流検出抵抗との間のn個の節点電圧のそれぞれと前記基準電圧とを比較し、前記n個の節点電圧の内の少なくとも1つが当該節点電圧に対応して予め定められた判定時間内に前記基準電圧以上にあるときに前記主電流を遮断すべき状態にあると判定してゲート遮断信号を出力する電流保護判定回路と、前記電流保護判定回路から出力された前記ゲート遮断信号を受けて前記半導体素子のゲートの駆動を中止するゲート駆動回路とを備える半導体装置であって、前記判定基準電源と前記接地電位との間に接続され、且つ、前記半導体装置の組立途中又は組立完了後にそれ自体の抵抗値が調整されることによって、その流れを遮断すべき本来の判定レベルに達した前記主電流が前記半導体素子に流れるときに生じる前記n個の節点電圧の何れか1つが前記基準電圧と等しくなる様に前記基準電圧を調整している調整抵抗を更に備えることを特徴とする、半導体装置。

IPC (4件)：

H02M 1/00 ,  H02H 3/08 ,  H02H 7/12 ,  H02M 7/48

FI (4件)：

H02M 1/00 H ,  H02H 3/08 T ,  H02H 7/12 B ,  H02M 7/48 M

Fターム (32件)：

5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA03 ,  5G004BA04 ,  5G004DA04 ,  5G004DC04 ,  5G004EA01 ,  5G053AA01 ,  5G053AA02 ,  5G053BA01 ,  5G053CA02 ,  5G053EB01 ,  5G053EC03 ,  5H007AA05 ,  5H007AA07 ,  5H007CA01 ,  5H007CB00 ,  5H007CC03 ,  5H007DA05 ,  5H007DB01 ,  5H007DC02 ,  5H007DC08 ,  5H007EA00 ,  5H007FA03 ,  5H007FA13 ,  5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB01 ,  5H740BB07 ,  5H740BB08 ,  5H740MM11 ,  5H740NN17