特許

J-GLOBAL ID：200903005859894914

鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 久原 隆 ,  舛田 松夫 ,  常盤 剛 ,  田中 久裕
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335416
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164782
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 環境有害汚染物質である鉛を含まない、半田濡れ性、接合強度特性の良い電子部品用リードフレームを用いた半導体装置及び半導体装置製造方法を提供する。【解決手段】 本発明はニッケル又はニッケル合金、銅又は銅合金系及び鉄又は鉄合金で形成されるリードフレームにおいて、インナーリード部に銀又は銀を含む合金の表面処理層を設けかつ、アウターリード部に少なくとも、銀及び(101)面及び/又は(211)面に優先配向した体心正方構造の錫を含む合金の表面処理層を形成し解決される。

請求項（抜粋）：

ニッケル又はニッケル合金、銅又は銅合金系及び鉄又は鉄合金で形成されるリードフレームにおいて、インナーリード部に銀又は銀を含む合金の表面処理層を設けかつ、アウターリード部に少なくとも、銀及び(101)面及び/又は(211)面に優先配向した体心正方構造の錫を含む合金の表面処理層を設けた事を特徴とするリードフレ-ムを用いた半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 23/50 ,  B23K 35/14 ,  B23K 35/26 310 ,  C22C 13/00 ,  C25D 5/02 ,  C25D 5/10 ,  C25D 7/00 ,  C25D 7/12

FI (8件)：

H01L 23/50 D ,  B23K 35/14 F ,  B23K 35/26 310 A ,  C22C 13/00 ,  C25D 5/02 B ,  C25D 5/10 ,  C25D 7/00 G ,  C25D 7/12

Fターム (23件)：

4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA21 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB08 ,  4K024AB19 ,  4K024BA02 ,  4K024BA09 ,  4K024BB13 ,  4K024BC10 ,  4K024DA07 ,  4K024DB10 ,  4K024FA05 ,  4K024GA14 ,  5F067DC11 ,  5F067DC15 ,  5F067DC17 ,  5F067DC18 ,  5F067DC19 ,  5F067DC20 ,  5F067EA02 ,  5F067EA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-147148
  
• 特開昭55-138093
  
• 特開昭60-026691
  
• 特開昭58-197291