特許
J-GLOBAL ID：200903005861532590
磁気インピーダンス素子を具える磁気センサのバイアス磁界印加方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345058
公開番号（公開出願番号）：特開平11-174137
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 磁気インピーダンス素子を可変インピーダンス素子として具え、この素子にバイアス磁界を正確かつ容易に印加する方法を提供する。【解決手段】 非磁性でかつ電気絶縁性の基板21の表面に磁気インピーダンス素子22と、その両端に一端をそれぞれ接続した一対の電極23および24を形成し、基板の裏面に、一対のヨーク25および26を、それらの一端の間に形成されるギャップ27が、前記磁気インピーダンス素子22の位置と対向するような位置に来るように形成し、これら一対のヨークの他端の間にマグネット28を配置する。前記ギャップ27間に生じる均一な磁界によってギャップと対向する位置に配置された磁気インピーダンス素子22をバイアスできる。1個のマグネット28を用いるだけであるので、磁気インピーダンス素子へのバイアス磁界の印加は正確でしかも簡単に実施できる。
請求項（抜粋）：
磁気インピーダンス素子を可変インピーダンス要素として具える磁気センサにバイアス磁界を印加するに当たり、非磁性かつ電気絶縁性の基板の一方の表面に形成した一対の電極の間に磁気インピーダンス素子を配置し、前記基板の他方の表面に、前記磁気インピーダンス素子と対向する位置にギャップが位置するように一対のヨークを形成し、これらヨークの他端にマグネットを設けて基板を介して磁気インピーダンス素子にバイアス磁界を印加することを特徴とする磁気インピーダンス素子を具える磁気センサのバイアス磁界印加方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 33/02 D
, H01L 43/00
