特許

J-GLOBAL ID：200903005865888390

半導体装置の電極形成のための転写用基板および電極形成方法

発明者： 武仲 鋼一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082415
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275105
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】半田バンプ形成のための転写が確実にできるようにする。【解決手段】半導体基板1はその表面における所定領域に電極下地部3が突出した状態で配置されている。転写用基板2はその表面に離間距離Pが電極下地部3の径Dよりも小さい多数のバンプ形成用半田9が散在している。半導体基板1と転写用基板2を対向配置して電極下地部3とバンプ形成用半田9とを接触させ、バンプ形成用半田9を溶融して電極下地部3の表面にバンプ形成用半田9を転写して半田バンプを形成する。

請求項（抜粋）：

表面にバンプ形成用半田を有し、表面における所定領域に電極下地部が突出した状態で配置された半導体基板に対して対向配置して前記電極下地部とバンプ形成用半田とを接触させ、バンプ形成用半田を溶融して前記電極下地部の表面に前記バンプ形成用半田を転写するための転写用基板であって、離間距離が前記電極下地部の径よりも小さい多数のバンプ形成用半田を散在させたことを特徴とする半導体装置の電極形成のための転写用基板。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 N