特許

J-GLOBAL ID：200903005868931580

シリコン半導体圧力計の製造方法

発明者： 吉田 隆司
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-246214
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244438
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 精度、感度、過大圧特性が良好で、ダイアフラムの共振を防止し得るシリコン半導体圧力計の製造方法を提供するにある。【構成】 半導体基板の一面側にスピネルエピ層を形成し、半導体基板のスピネルエピ層に接する面に酸化シリコン膜を形成し、スピネルエピ層の表面にポリシリコン層を形成し、ポリシリコン層をアニ-ル処理して単結晶化し、ポリシリコン層とスピネルエピ層と酸化シリコン膜のダイアフラムに対応する部分以外を除去し、半導体基板とポリシリコンの表面にシリコンエピタキシャル成長層を形成し、半導体基板の他面より酸化シリコン膜に達する連通孔をエッチングにより形成し、連通孔を通して選択エッチングにより前記酸化シリコン膜を除去する方法である。

請求項（抜粋）：

(1)半導体基板と、該半導体基板に設けられ該半導体基板に単結晶成長により形成されたダイアフラムを形成する狭い空隙と、該空隙と外部とを連通する連通孔と、前記測定ダイアフラムに設けられた歪み検出センサとを具備してなるシリコン半導体圧力計の製造方法において、以下の工程を有する事を特徴とするシリコン半導体圧力計の製造方法。(a)前記半導体基板の一面側にスピネルエピ層を形成する工程。(b)前記半導体基板の前記スピネルエピ層に接する面に酸化シリコン膜を形成する工程。(c)前記スピネルエピ層の表面にポリシリコン層を形成し該ポリシリコン層をアニ-ル処理して単結晶化する工程。(d)該ポリシリコン層と前記スピネルエピ層と前記酸化シリコン膜の前記ダイアフラムに対応する部分以外を除去する工程。(e)前記半導体基板と前記ポリシリコンの表面にシリコンエピタキシャル成長層を形成する工程。(f)前記半導体基板の他面より前記酸化シリコン膜に達する連通孔をエッチングにより形成する工程。(g)該連通孔を通して選択エッチングにより前記酸化シリコン膜を除去する工程。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/18 ,  G01L 9/04 101