特許
J-GLOBAL ID：200903005873888730
絶縁膜破壊評価装置および経時絶縁膜破壊評価装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189362
公開番号（公開出願番号）：特開平6-034704
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、正確な絶縁膜破壊評価方法を提供するとともに、絶縁膜破壊評価からステップストレス法による正確なTDDB特性の得られる評価方法を提供する。【構成】 本発明の絶縁膜破壊評価方法は、印加電圧に応じて、複数の基準電流によって評価する方法、あるいは印加電圧の関数として、基準電流Icrを変化させる評価方法である。また、本発明のステップストレスTDDB評価方法は、Chen-Holland-Hu モデルを適用した評価方法、あるいは改良Chen-Holland-Hu モデルを適用した評価方法である。【効果】 この発明は上記目的を実現でき、また絶縁膜破壊評価だけから、TDDB特性が得られるため、早期信頼性評価に極めて有効である。
請求項（抜粋）：
絶縁膜のI-V特性をとるための電圧印加装置と電流計と、前記絶縁膜への印加電圧の関数として変化する絶縁破壊判定基準電流値を持つ電流比較器を有することを特徴とする絶縁膜破壊評価装置。
IPC (5件)：
G01R 31/26
, G01N 27/92
, G01R 31/12
, G01R 31/30
, H01L 21/66
