特許

J-GLOBAL ID：200903005874160218

強誘電体素子

発明者： 平井 匡彦
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045758
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243923
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 強誘電体素子において、アルミニウム配線の膨張などにより受ける応力により強誘電体層が劣化する現象がある。【解決手段】 強誘電体層5上に上部電極7を有し、該上部電極上に絶縁層を有し、該絶縁層に配線6が前記強誘電体層をオーバーラップして設けられている強誘電体素子であって、前記強誘電体層上に前記配線からの応力を阻止する応力阻止層8を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

強誘電体層上に上部電極を有し、該上部電極上に絶縁層を有し、該絶縁層上に配線が前記強誘電体層をオーバーラップして設けられている強誘電体素子であって、前記強誘電体層上に前記配線からの応力を阻止する応力阻止層を有することを特徴とする強誘電体素子。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (29件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34