特許
J-GLOBAL ID：200903005874455536
高分子イオン伝導体の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院 大阪工業技術試験所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-128692
公開番号（公開出願番号）：特開平5-320324
出願日： 1991年04月30日
公開日（公表日）： 1993年12月03日
要約：
【要約】環状エーテル、環状炭酸エステル、及び環状エステル類を用いてプラズマ気相重合法によって電極上に高分子薄膜を形成させて高分子固体電解質としての機能を持つ膜の製造法及びその製造条件の最適化。【効果】この方法は、イオン伝導薄膜の作製法として非常に簡便で効率的である。膜の性質も均一でち密である。
請求項（抜粋）：
環状エーテル、環状炭酸エステル、環状エステル類を用いてプラズマ気相反応による高分子イオン伝導体の薄膜作製において反応条件の最適化を行うことを特徴とする製造法。
IPC (7件)：
C08G 63/08 NLZ
, C08G 63/08 NLX
, C08G 64/00 NPT
, C08G 65/00
, C23C 16/00
, H01M 6/18
, H01M 10/40
