特許

J-GLOBAL ID：200903005884676280

半導体装置及びその製造方法

発明者： 村上 典子
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063152
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273807
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】製造時に樹脂漏れやバリの発生がなく、しかも、クロストークノイズの発生が少なく、更には信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】パッド11上に設置された半導体素子12と、半導体素子12を中央にしてその両側又は周囲に配置され、半導体素子12の各電極端子と電気的に連結されて同一平面上に配置される複数の端子リード13と、パッド11及び端子リード13の底面を露出させた状態で、パッド11、半導体素子12、端子リード13及びこれらの配線15を被覆する封止樹脂体14とを有する半導体装置10において、端子リード13とパッド11との間に段差を設け、端子リード13をパッド11より下方に突出させ、かつ端子リード13を封止樹脂体14よりも下方に突出させている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

パッド上に設置された半導体素子と、該半導体素子を中央にしてその両側又は周囲に配置され、該半導体素子の各電極端子と電気的に連結されて同一平面上に配置される複数の端子リードと、前記パッド及び前記端子リードの底面を露出させた状態で、前記パッド、前記半導体素子、前記端子リード及びこれらの配線を被覆する封止樹脂体とを有する半導体装置において、 前記端子リードと前記パッドとの間に段差を設け、前記端子リードを前記パッドより下方に突出させ、かつ該端子リードを前記封止樹脂体よりも下方に突出させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/12

FI (1件)：

H01L23/12 501T