特許
J-GLOBAL ID：200903005888078085
コンタクトホールの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-216748
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069166
出願日： 1992年08月14日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 深さの異なる複数のコンタクトホールを工程数を増加させることなく形成する。【構成】 シリコン基板1および配線層4上に、一酸化炭素が添加されたエッチングガスを用いるエッチングに対してエッチング速度の比が5以上となる2種類以上の絶縁層5および平坦化絶縁層6をエッチング速度の小さい絶縁層5をシリコン基板1および配線層4側に形成し、一酸化炭素が添加されたエッチングガスを用いた第1のエッチングによって、第1コンタクトホール12aにおいて絶縁層5が露出するまでエッチングを行う。その後、拡散層8および配線層4に対する絶縁層5のエッチング速度の比が高い第2のエッチング条件によって、第1コンタクトホール12aおよび第2コンタクトホール12bにおいて拡散層8および配線層4が露出するまで第2のエッチングを行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板とその半導体基板上に保護絶縁膜を介して形成された配線層とを覆う第1の絶縁膜と前記第1の絶縁膜とは同一エッチング条件でエッチング速度の異なる第2の絶縁膜とを形成する工程と、コンタクトをとるべき配線層または半導体基板上の第2の絶縁膜上の所定の領域を除いてエッチングマスクを形成する工程と、一酸化炭素を含有するエッチングガスを用いて第2の絶縁膜と第1の絶縁膜をエッチングし、配線層または半導体基板に達するコンタクトホールを形成する工程を有するコンタクトホールの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/28
, H01L 21/90
