特許
J-GLOBAL ID：200903005892230800
高純度の多結晶性シリコン顆粒を連続的に製造する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, 杉本 博司
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-121383
公開番号（公開出願番号）：特開2008-273831
出願日： 2008年05月07日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】渦動床反応器中で反応ガスをシリコン顆粒に析出させることによって高純度のポリシリコン顆粒を連続的に製造する方法を提供する。【解決手段】少なくとも2つの隣接する帯域からなる反応空間を備えた反応器において、下方の帯域はシリコン不含ガスを複数のできるだけ均一に分布したノズルを通してシリコン顆粒中に導入することによって弱く流動化され、上方の帯域は壁の外側に設けた加熱装置により加熱され、形成された反応帯域中にシリコン含有反応ガスは1つ以上のノズルにより上向きに垂直方向に向いたガス噴流よりも高速で噴入され、ノズルの上方で気泡を形成する渦動床によって包囲されて局部的な反応ガス噴流が形成され、反応ガス噴流の内部でシリコン不含ガスは粒子表面上で分解し、粒子の成長を生じ、反応ガスは殆んど化学的な平衡反応が静止するまで導入され、反応ガスに含まれるシリコンをシリコン顆粒に析出させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
1.渦動床反応器中で反応ガスをシリコン顆粒に析出させることによって高純度のポリシリコン顆粒を製造する方法において、
(I)少なくとも2つの順次に存在する帯域からなる反応空間を備えた反応器を含み、
(II)この場合、下方の帯域は、シリコン不含のガスを個々のノズルを通してシリコン顆粒中に導入することによって弱く流動化され、
(III)前記反応器に直接接触して他の帯域が接続されており、第1の帯域との直接の接触が存在し、
(IV)前記の他の帯域は、外向きに制限されている壁により加熱され、および
(V)そこで形成された反応帯域中にシリコン含有反応ガスは、1つ以上のノズルにより上向きに垂直方向に向いたガス噴流よりも高速で噴入され、この場合には、ノズルの上方で気泡を形成する渦動床によって包囲されて局部的な反応ガス噴流が形成され、この反応ガス噴流の内部でシリコン不含のガスは、粒子表面上で分解し、かつ粒子の成長を生じ、および
(VI)この場合、この反応ガスは、殆んど化学的な平衡反応が静止するまで導入され、その後に渦動床の境界または渦動床の表面が達成されることを含むことを特徴とする、渦動床反応器中で反応ガスをシリコン顆粒に析出させることによって高純度のポリシリコン顆粒を製造する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
4G072AA01
, 4G072BB05
, 4G072BB07
, 4G072BB12
, 4G072DD01
, 4G072DD02
, 4G072GG03
, 4G072HH04
, 4G072HH07
, 4G072HH08
, 4G072HH09
, 4G072LL01
, 4G072RR01
, 4G072RR17
, 4G072TT01
, 4G072TT30
