特許

J-GLOBAL ID：200903005895968380

半導体集積回路装置

発明者： 太齋 文博 ,  山瀬 真也 ,  宮下 博之
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030326
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240471
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】CMOSを備えた半導体集積回路装置の不要輻射の改善に関する。【構成】pチャネル型MOS型トランジスタpMOS2の閾値電圧Vtp2とnチャネル型MOS型トランジスタnMOS2の閾値電圧Vtn2が Vtp2+ Vtn2 ≧VDDなる条件を満たすpチャネル型MOS型トランジスタpMOS2とnチャネル型MOS型トランジスタnMOS2とからなるCMOSを、高速動作もしくはアナログ動作が要求されない箇所に用い、かつ高速動作もしくはアナログ動作が要求される箇所についてはpチャネル型MOS型トランジスタpMOS1の閾値電圧Vtp1とnチャネル型MOS型トランジスタnMOS1の閾値電圧Vtn1が、 Vtp1 + Vtn1 <VDDなる条件を満たすpチャネル型MOS型トランジスタpMOS1とnチャネル型MOS型トランジスタnMOS1とからなるCMOSを用いること。

請求項（抜粋）：

pチャネル型MOS型トランジスタ(pMOS2)の閾値電圧(Vtp2)とnチャネル型MOS型トランジスタ(nMOS2)の閾値電圧(Vtn2)が、 Vtp2 + Vtn2 ≧VDD 〔VDDは電源電圧〕なる条件を満たす前記pチャネル型MOS型トランジスタ(pMOS2)と前記nチャネル型MOS型トランジスタ(nMOS2)とからなるCMOSを、高速動作もしくはアナログ動作が要求されない箇所に用い、かつ高速動作もしくはアナログ動作が要求される箇所についてはpチャネル型MOS型トランジスタ(pMOS1)の閾値電圧(Vtp1)とnチャネル型MOS型トランジスタ(nMOS1)の閾値電圧(Vtn1)が、 Vtp1 + Vtn1 < VDD 〔VDDは電源電圧〕なる条件を満たす前記pチャネル型MOS型トランジスタ(pMOS1)と前記nチャネル型MOS型トランジスタ(nMOS1)とからなるCMOSを用いることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (8件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03B 1/04 ,  H03K 17/16 ,  H03K 19/003 ,  H03K 19/017 ,  H03K 19/0948 ,  H03L 7/08

FI (3件)：

H01L 27/08 321 D ,  H03K 19/094 B ,  H03L 7/08 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-283952
  
• 特開昭60-167523