特許
J-GLOBAL ID：200903005898667828
導電性高分子金属錯体とその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-159417
公開番号（公開出願番号）：特開平6-001832
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：
【要約】【目的】 化学的に安定で、高い導電性が期待でき、しかも成形加工性のよい金属錯体導電性高分子およびその製造方法を得る。【構成】 次の一般式【化1】〔式中のL1 、L2 は配位子、Mは遷移金属イオン、A- は電荷を中和するための陰イオンを示す〕を繰返し単位として成る導電性高分子金属錯体。
請求項（抜粋）：
次の一般式【化1】(式中のL1 、L2 は配位子、Mは遷移金属イオン、A- は電荷を中和するための陰イオンを示す)を繰り返し単位として成ることを特徴とする導電性高分子金属錯体。
IPC (3件)：
C08G 61/12 NLJ
, C07F 15/00
, H01B 1/12
