特許
J-GLOBAL ID：200903005899461590
半導体装置および半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-014891
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299426
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【構成】 シリコン基板2は、シリコン単結晶ウエハ1と自然酸化膜3と多結晶シリコン膜5とを備えている。自然酸化膜3の厚みは0以上10Å未満に制御されている。【効果】 自然酸化膜3の厚みが0以上10Å未満にされているので、ゲッタリングの際に、重金属はシリコン単結晶ウエハ1から多結晶シリコン膜5にスムーズに移動する。つまりゲッタリングの効果を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体装置を形成するのに適した主表面と厚さ10Å未満の自然酸化膜が形成された裏面とを有する半導体基板と、前記自然酸化膜上に形成されたゲッタリング用薄膜と、を備えた半導体装置。
引用特許：
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