特許

J-GLOBAL ID：200903005904154102

接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置

発明者： 金田 麻衣子 ,  宇留野 道生 ,  松崎 隆行 ,  増野 道夫 ,  古谷 涼士 ,  稲田 禎一 ,  大久保 恵介
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-071327
公開番号（公開出願番号）：特開2005-255909
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 使用前における剥離基材と積層体との間の剥離の発生を十分に低減し、積層体を剥離基材から剥離して半導体ウェハに貼り付ける工程において、剥離不良の発生を十分に低減することが可能な接着シートを提供すること。【解決手段】 剥離基材12と、接着層14と、粘着層22と、基材フィルム24とが順次積層された構成を有し、接着層14は、剥離基材12上に部分的に形成され、粘着層22は、接着層14を覆い、且つ、周縁部が剥離基材12と接するように形成され、剥離基材12は、厚さが3〜100μm、25°Cでの引張弾性率が1000MPa以上であり、基材フィルム24は、厚さが20〜300μm、25°Cでの引張弾性率が10〜300MPaであり、剥離基材12と粘着層22との間の25°Cでの90°ピール強度が0.1〜20N/mであることを特徴とする接着シート。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

剥離基材と、熱硬化型の接着層と、放射線硬化型の粘着層と、基材フィルムとが順次積層された構成を有する接着シートであって、 前記接着層は、前記剥離基材上に部分的に形成されており、 前記粘着層は、前記接着層を覆い、且つ、周縁部が前記剥離基材と接するように形成されており、 前記剥離基材は、厚さが3〜100μm、25°Cでの引張弾性率が1000MPa以上であり、 前記基材フィルムは、厚さが20〜300μm、25°Cでの引張弾性率が10〜300MPaであり、 前記剥離基材と前記粘着層との間の25°Cでの90°ピール強度が0.1〜20N/mであることを特徴とする接着シート。

IPC (4件)：

C09J7/02 ,  C09J5/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

FI (5件)：

C09J7/02 Z ,  C09J5/00 ,  H01L21/304 622J ,  H01L21/78 M ,  H01L21/78 P

Fターム (22件)：

4J004AA01 ,  4J004AA10 ,  4J004AA11 ,  4J004AA13 ,  4J004AB05 ,  4J004AB06 ,  4J004CA01 ,  4J004CC02 ,  4J004CE01 ,  4J004DB02 ,  4J004DB03 ,  4J004FA05 ,  4J040DF041 ,  4J040DF051 ,  4J040EC231 ,  4J040FA081 ,  4J040JB02 ,  4J040JB07 ,  4J040NA20 ,  4J040PA23 ,  4J040PA32 ,  4J040PA42

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第2665383号公報
  
• ウェハ貼着用シートおよび半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-144240   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, リンテック株式会社
• 実公平6-18383号公報