特許

J-GLOBAL ID：200903005906087399

半導体装置の製造方法

発明者： 義 高 光
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  永井 浩之 ,  岡田 淳平 ,  勝沼 宏仁 ,  宮腰 健介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-113645
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223360
出願日： 2005年04月11日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】 フッ素添加カーボンからなる絶縁層を備えた半導体装置において、高速化への対応を考慮しつつ、信頼性の向上を図る。【解決手段】 素子が形成された半導体基板上に配線層102を形成しておく。その配線層102上にフッ素添加カーボン膜103を形成する。そのフッ素添加カーボン膜103上に、SiCNからなるハードマスク105を形成する。ハードマスク105の形成は、SiH4、C2H4等の炭素を含むガスおよびN2等の窒素を含むガスを原料ガスとした化学的気相成長法により行われる。その後、選択的にエッチングしたハードマスク105をマスクとして、フッ素添加カーボン膜103を選択的にエッチングする。そして、ハードマスク105上に新たな配線層104を形成する。【選択図】 図1a

請求項（抜粋）：

素子が形成された半導体基板上に配線層を形成する工程と、 その配線層上に、フッ素添加カーボンからなる第1の絶縁層を形成する工程と、 その第1の絶縁層上に、SiH4、炭素を含むガスおよび窒素を含むガスを原料ガスとした化学的気相成長法により、シリコンと炭素と窒素とからなる第2の絶縁層を形成する工程と、 前記第1の絶縁層の表面が部分的に露出するまで前記第2の絶縁層を選択的にエッチングする工程と、 その選択的にエッチングした第2の絶縁層をマスクとして、前記第1の絶縁層を選択的にエッチングする工程と、 前記第1の絶縁層を選択的にエッチングした後、前記第2の絶縁層上に新たな配線層を形成する工程と を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/768 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

H01L21/90 A ,  H01L21/90 M ,  H01L21/302 101B

Fターム (46件)：

5F004AA04 ,  5F004BA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA03 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR11 ,  5F033RR24 ,  5F033SS15 ,  5F033XX12 ,  5F033XX13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-320912   出願人：東京エレクトロン株式会社