特許
J-GLOBAL ID：200903005907638461
電流検出回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220579
公開番号（公開出願番号）：特開平8-086818
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、電流検出精度を向上させ、また回路規模を小さくすることを目的とする。【構成】 メインMOSFET3のソース電位をレベルシフトする第1のレベルシフト手段はメインMOSFET3のソースから増幅器9の反転入力端子に順方向接続した第1のダイオード5とその反転入力端子と低電位点との間に接続した第1の抵抗6とで構成し、ミラーMOSFET4のソース電位をレベルシフトする第2のレベルシフト手段はミラーMOSFET4のソースから増幅器9の非反転入力端子に順方向接続した第2のダイオード7とその非反転入力端子と低電位点との間に接続した第2の抵抗8とで構成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
負荷を駆動するメインMOSFETと、該メインMOSFETにミラー接続されたミラーMOSFETと、前記メインMOSFETのソース電位を第1のレベルシフト手段でレベルシフトした電圧及び前記ミラーMOSFETのソース電位を第2のレベルシフト手段でレベルシフトした電圧を両入力とする増幅器と、該増幅器の出力をベース(又はゲート)入力とするトランジスタと、該トランジスタのコレクタ(又はドレイン)端子から前記ミラーMOSFETのソース端子に接続された帰還抵抗と、前記トランジスタのエミッタ(又はソース)端子に接続され前記ミラーMOSFETに流れる電流を検出する電流検出用抵抗とを有する電流検出回路において、前記第1のレベルシフト手段は前記メインMOSFETのソース端子から前記増幅器の反転入力端子に順方向に接続された第1のダイオードと、該反転入力端子と低電位点との間に接続された第1の抵抗とで構成し、前記第2のレベルシフト手段は前記ミラーMOSFETのソース端子から前記増幅器の非反転入力端子に順方向に接続された第2のダイオードと、該非反転入力端子と低電位点との間に接続された第2の抵抗とで構成してなることを特徴とする電流検出回路。
IPC (2件)：
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