特許
J-GLOBAL ID：200903005909723130
半導体電極の作製方法、並びにそれを用いた光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-107875
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319120
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】光電変換特性に優れた光電変換素子を提供する。【解決手段】色素を混合した半導体分散液を導電性基板に塗布した後、マイクロ波照射、電子線照射、加熱、プレスのうち少なくともひとつのプロセスを経て作製した半導体電極、及び、この半導体電極を用いた光電変換素子。半導体としてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブテン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも1種含むことが好ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
表面に導電性を有する基板と、その導電性表面上に被覆された半導体層と、その半導体層の表面に吸着した色素からなる半導体電極において、少なくとも色素と半導体を含有する分散液を用いて作製したことを特徴とする半導体電極の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051FA01
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F051GA05
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032EE02
, 5H032EE16
, 5H032EE20
