特許

J-GLOBAL ID：200903005911380282

X線マスク構造体、X線マスク製造方法、X線露光装置、X線露光方法及び半導体製造方法

発明者： 千葉 啓子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 吉田 勝広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194672
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020929
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 X線透過膜とX線吸収体として主たる役割を果たす金属との間に金属薄膜を設けるが、X線吸収体を減少させることなく、X線透過膜の膜厚分布やダメージを引き起こすことなく、金属薄膜の非パターン形成部におけるアライメント光透過率を妨げることのないX線マスクで且つパターン位置歪みを最小限におさえたX線マスクを提供すること等。【構成】 所望のパターンを有するX線吸収体、該吸収体を支持するX線透過膜、及びこれらを保持する保持枠からなるX線マスク構造体において、前記X線透過膜上のパターン部に原子番号が70以上の金属酸化膜を有し、前記X線透過膜上のパターン部以外の部分に原子番号が35以下の金属酸化膜を有することを特徴とするX線マスク構造体、及びその製造方法等。

請求項（抜粋）：

所望のパターンを有するX線吸収体、該吸収体を支持するX線透過膜、及びこれらを保持する保持枠からなるX線マスク構造体において、前記X線透過膜上のパターン部に原子番号が70以上の金属酸化膜を有し、前記X線透過膜上のパターン部以外の部分に原子番号が35以下の金属酸化膜を有することを特徴とするX線マスク構造体。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  C01G 1/02 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521 ,  G11B 11/00

FI (3件)：

H01L 21/30 331 M ,  H01L 21/30 331 A ,  H01L 21/30 331 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-155618
  
• 特開平2-241020
  
• 特開平4-130712