特許
J-GLOBAL ID：200903005914593589
炭化珪素ショットキー障壁ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮田 金雄
, 高瀬 彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-055479
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266115
出願日： 2003年03月03日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い炭化珪素ショットキー障壁ダイオードを得る。【解決手段】炭化珪素ショットキー障壁ダイオードを、n型炭化珪素半導体基板1に順次形成された第1不純物濃度N1を有するn型第1炭化珪素半導体層2および第2不純物濃度N2を有するn型第2炭化珪素半導体層3と、n型第2炭化珪素半導体層3上に形成されたショットキー電極4と、ショットキー電極4の下部のn型第2炭化珪素半導体層3内に設けられ第3不純物濃度N3を有するn型不純物イオン注入領域7と、を備え、各不純物濃度がN1>N3>N2の関係を満たす構成とした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型炭化珪素半導体基板と、
前記n型炭化珪素半導体基板上に形成され第1不純物濃度N1を有するn型第1炭化珪素半導体層と、
前記n型第1炭化珪素半導体層上に形成され第2不純物濃度N2を有するn型第2炭化珪素半導体層と、
前記n型第2炭化珪素半導体層上に形成されたショットキー電極と、
前記ショットキー電極の下部の前記n型第2炭化珪素半導体層内に設けられ第3不純物濃度N3を有するn型不純物イオン注入領域と、を備え、
前記各不純物濃度がN1>N3>N2の関係を満たすことを特徴とする炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104CC03
, 4M104DD37
, 4M104DD64
, 4M104DD65
, 4M104DD79
, 4M104FF31
, 4M104GG03
