特許

J-GLOBAL ID：200903005918571253

半導体受光装置

発明者： 王 鋼 ,  米田 昌博
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274304
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111762
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】小型化が可能で、高速動作に優れた半導体受光装置を提供する。【解決手段】PIN型フォトダイオード10は、半導体基板31と、半導体基板31上に形成された第1導電型の第1の半導体層(34、35)と、前記第1の半導体層上に形成され入射した光に応じてキャリアを生成する光吸収層36と、前記光吸収層36上に形成された第2導電型の第2の半導体層(37、38、39、40)と、前記第1の半導体層に第1の電位を印加する第1の電極部(41)と、前記第2の半導体層に第2の電位を印加する第2の電極部(42)と、前記基板の第1主面と前記第1の半導体層との間に介在する少なくとも一つの第2導電型の第3の半導体層(33)とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1主面と該第1主面と対向する第2主面とを備えた基板と、 前記基板の第1主面側に形成され、少なくとも1つの第1導電型の半導体層を含む第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に形成され入射した光に応じてキャリアを生成する光吸収層と、 前記光吸収層上に形成され、少なくとも1つの第2導電型の半導体層を含む第2の半導体層と、 前記第1の半導体層に電気的に接続され第1の電位を印加する第1の電極部と、 前記第2の半導体層に電気的に接続され第2の電位を印加する第2の電極部と、 前記基板の第1主面と前記第1の半導体層との間に介在する第2導電型の第3の半導体層とを有する半導体受光装置。

IPC (1件)：

H01L31/10

FI (1件)：

H01L31/10 G

Fターム (10件)：

5F049MA04 ,  5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NA05 ,  5F049NA16 ,  5F049NA18 ,  5F049NA19 ,  5F049NB01 ,  5F049SS04

引用特許：

審査官引用 (6件)

• APDバイアス回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-124957   出願人：安藤電気株式会社
• 特開昭62-024667
  
• 光通信用受光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-018812   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体受光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-309851   出願人：富士通株式会社, 富士通カンタムデバイス株式会社
• 特開昭62-024667
  
• 特開平3-222373