特許
J-GLOBAL ID：200903005923847763
光起電力装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105001
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291342
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 異種物質界面における界面準位を低減し、光電変換効率を向上させ得る光起電力装置を提供することを目的とする。【構成】 互いに逆導電型の関係を有するp型非晶質シリコン膜3とn型単結晶シリコン基板1との間に薄膜の真性非晶質シリコン2を介在させた光起電力装置において、前記の真性非晶質シリコン2は、フッ素(F)を含有し、p型非晶質シリコン3との界面側では、n型単結晶シリコン基板1との界面側におけるよりもフッ素含有量が少なくされている。
請求項（抜粋）：
互いに逆導電型の関係を有する非晶質半導体と結晶系半導体との間に薄膜の真性非晶質半導体を介在させた光起電力装置において、前記の真性非晶質半導体は、フッ素を含有し、前記の非晶質半導体との界面側では結晶系半導体との界面側におけるよりもフッ素含有量が少なくされていることを特徴とする光起電力装置。
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 A
