特許
J-GLOBAL ID：200903005924178105
ドライエツチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-284643
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036647
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 シリコン酸化膜またはその多層膜の微細加工において、寸法精度良く、しかも安定したエッチング形状を得るためのドライエッチング方法。【構成】 主エッチングガスとして、C元素、S元素またはC1元素を一つ含み、F元素を含んだ化合物のガス(例えばCF4)を用い、かつ添加ガスとして、C元素を一つ含み、H元素を二つ以上含んだ化合物のガス(例えばCH2F2)を用いる。【効果】 プラズマ反応により生成する堆積物のステップカバレッジが、良好なガスを主エッチングガス、添加ガス両方に用いることにより、サブミクロンレベルの微細加工において、エッチング残渣物を無くし、安定したエッチング形状を寸法精度良く形成することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜またはその多層膜を、主エッチングガスと添加ガスを用いてドライエッチングする方法であって、前記主エッチングガスとして、C元素またはS元素またはCl元素を一つ含み、F元素を含んだ化合物のガスを用い、かつ前記添加ガスとして、C元素を一つ含み、H元素を二つ以上含んだ化合物のガスを用いることを特徴するドライエッチング方法。
引用特許：
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